M02300 - SEMI M23 - 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様 Revision:SEMI M23-0703 - Superseded

M02300 - SEMI M23 - 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様 Revision:SEMI M23-0703 - SupersededSEMI M23SEMI M23. 60703 Subordinate Standards: SEMI M23. 1 0600 50 mm SEMI M23. 2 1000 3(76. 2mm) SEMI M23. 3 0600 SEMI M23. 4 0999 100 mm SEMI M23. 5 1000 100 mm V GROOVE SEMI M23. 6 0703 150 mm Referenced SEMI Standards SEMI M39 Test Method for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility on Semi Insulating GaAs Single Crystals

This Standard is intended to set an appropriate level of specification that places minimal limits on innovation while ensuring modularity and their interchangeability at all mechanical interfaces

본 문서는 반도체 및 유사 산업의 장비에 대한 위험성 평가 수행을 위한 가이드를 제공하며

• Repeatability

and one of the Sensor/Actuator Network Communication Specifications

ウェーハ，フレーム，ストリップ（短冊状下地），トレーなどの基板のマップデータを報告，保存，伝送する際に必要なデータ項目を本書は定義するものである。

This specification defines the acceptance criteria for cofired ceramic pin grid array packages

previously published in 1994

この試験方法は，FPDをアプリケーションとするカラーフィルタのユーザ・サプライヤにより使用される。その使用目的は，製品と開発試作品の品質評価である。

orgで入手可能になり，2003年3月発行に至る。初版は1982年発行，前版は1996年12月発行。

provides an indication of the native nucleation sites present in the as-received wafers

この仕様が適用される開発用ウェーハは，直径450 mm単結晶シリコンウェーハ上に高集積ICを生産するのに必要な製造プロセス，製造装置および評価装置の研究開発に使うことを意図している。直径450 mmデバイス用（プライム）ウェーハの形状仕様をサポートするのに必要な測定法や測定技術を築くためにも使える。

注意：在此指導方針中所稱"應該"條款之一致性必須宣告與本文件之一致性，所稱"可能"、"建議"、"首選"、"推薦"、"注意"或"相關資訊"條款則並不一定要宣告其一致性。